مشخصات
قیمت به صورت تکی , قیمت به صورت کلی | قیمت کلی کالا |
ترانزیستور NE3210S01-T1B-A یک ترانزیستور پتیمورفیک FET است که برای اتصال ما بین Si-doped AIGaAs و Undoped InGaAS برای ساخت الکترون هایی با تحرک بسیار زیاد بکار میرود. این دستگاه دارای گیت هایی شبیه به دمباله های قارچی است که به منظور کاهش مقاومت در ورودی گیت و بهبود توان حرکتی طراحی شده است. شکل فوق العاده کم سر و صدا و افزایش دست آوردهای آن این ترانزیستور را برای DBS و سیستم های تجاری بسیار مناسب می سازد. تضمین کیفیت و تست های دقیق شرکت NEC دلیلی است برای بالاترین قابلیت اطمینان و عملکرد این ترانزیستور. |
توضیحات |
Manufacturer:NEC Product Category:RF JFET Transistors Gain:13.5 dB Transistor Polarity:N-Channel Technology:GaAs Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:4 V Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 3 V Id - Continuous Drain Current:70 mA Maximum Operating Temperature:+ 125 C Pd - Power Dissipation:165 mW Package / Case:SO-1 Operating Frequency:12 GHz Forward Transconductance - Min:55 mS Gate-Source Cutoff Voltage:2 V NF - Noise Figure:0.35 dB |
مشخصات |
محصولات پیشنهادی
درحال بارگزاری